展望未來的DDR5內(nèi)存——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
現(xiàn)在DDR4還沒普及談DDR5可能有點(diǎn)早,DDR5內(nèi)存目前還在研發(fā)階段,尚未有具體規(guī)范,所以廠商公布的很多規(guī)格都不是確定的,其目標(biāo)是相比DDR4內(nèi)存至少帶寬翻倍,容量更大,同時(shí)更加節(jié)能,具體來說就是數(shù)據(jù)頻率從目前1.6-3.2Gbps的水平提升到3.2-6.4Gbps,預(yù)取位寬從8bit翻倍到16bit,內(nèi)存庫提升到16-32個(gè)。至于電壓,DDR4電壓已經(jīng)降至1.2v,DDR5有望降至1.1v或者更低。
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內(nèi)存條金手指的接口類型——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
接口類型是根據(jù)內(nèi)存條金手指上導(dǎo)電觸片的數(shù)量來劃分的,金手指上的導(dǎo)電觸片也習(xí)慣稱為針腳數(shù)(Pin)。因?yàn)椴煌膬?nèi)存采用的接口類型各不相同,而每種接口類型所采用的針腳數(shù)各不相同。筆記本內(nèi)存一般采用144Pin、200Pin接口;臺式機(jī)內(nèi)存則基本使用168Pin、184Pin或240Pin接口。對應(yīng)于內(nèi)存所采用的不同的針腳數(shù),內(nèi)存插槽類型也各不相同。臺式機(jī)系統(tǒng)主要有SIMM、DIMM和RIMM三種類型的內(nèi)存插槽,而筆記本內(nèi)存插槽則是在SIMM和DIMM插槽基礎(chǔ)上發(fā)展而來,基本原理并沒有變化,只是在針腳數(shù)上略有改變。
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電腦內(nèi)存條插槽的發(fā)展——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
內(nèi)存在PC中是一個(gè)巨大的緩沖區(qū),CPU所需訪問與處理的數(shù)據(jù)都會經(jīng)過這里,雖說CPU內(nèi)部也有各級緩存,但是容量空間是無法與內(nèi)存相比的,隨著CPU的處理能力不斷的提高,內(nèi)存的速度與容量也在不斷的提升,每隔幾年就會更新?lián)Q代,同時(shí)電腦內(nèi)存條插槽伴隨著內(nèi)存條的發(fā)展也更新迭代了。
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