內(nèi)存條插槽的發(fā)展歷史——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
古老的SIMM時(shí)代
首代SIMM內(nèi)存有30個(gè)引腳,單根內(nèi)存數(shù)據(jù)總線只有8bit,所以用在16位數(shù)據(jù)總線處理器上(286、386SX等)就需要兩根,用在32位數(shù)據(jù)總線處理器上(386DX、486等)就需要四根30pin SIMM內(nèi)存,采購(gòu)成本一點(diǎn)都不低,而且還會(huì)增加故障率,所以30pin SIMM內(nèi)存并不是完全被大家所接受。
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內(nèi)存條插在哪個(gè)插槽里性能是的好呢?——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
主板上的內(nèi)存條插槽通常有4根,但是我們手里的內(nèi)存只有1~2根,這時(shí)候問(wèn)題就來(lái)了,到底內(nèi)存插到什么位置,性能好的呢?
如果你手里只有一根內(nèi)存,那么通過(guò)這個(gè)測(cè)試,結(jié)果已經(jīng)非常明顯了。插槽1,也就是靠近處理器的內(nèi)存插槽,性能是好的,相對(duì)于其他插槽大概有3%左右的提升。但是,如果選擇這個(gè)插槽,那我們不得不面臨另一個(gè)問(wèn)題:發(fā)熱。處理器工作時(shí)產(chǎn)生的熱量比較大,處理器散熱器吹出的熱風(fēng)更是直接吹到內(nèi)存上,插槽1 更加靠近處理器,也意味著內(nèi)存在這里溫度更容易上升。如果將處理器和內(nèi)存的距離稍微拉大一點(diǎn),情況顯然會(huì)有所改善。因此如果加上這方面的考慮,我們建議你選擇插槽4,盡管在這個(gè)插槽中,內(nèi)存帶寬會(huì)降低一點(diǎn),但是讀寫性能的提高能夠彌補(bǔ)這一點(diǎn)。
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內(nèi)存條插槽的發(fā)展歷史——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
Rambus DRAM內(nèi)存
在選擇SDR SDRAM的繼任者的時(shí)候Intel選擇了與Rambus合作并推出了Rambus DRAM內(nèi)存,通常都會(huì)被簡(jiǎn)稱為RDRAM,它與SDRAM不同,采用了新的高速簡(jiǎn)單內(nèi)存架構(gòu),基于RISC理論,這樣可以減少數(shù)據(jù)復(fù)雜性提高整個(gè)系統(tǒng)的性能。
RDRAM采用RIMM插槽,184pin,總線位寬16bit,插兩條組建雙通道時(shí)就是32bit,工作電壓2.5V,當(dāng)時(shí)的頻率有600、700、800、1066MHz等。
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