太原內(nèi)存條卡槽-華睿優(yōu)創(chuàng)手感佳-內(nèi)存條卡槽生產(chǎn)廠家：

內(nèi)存條插在哪個(gè)插槽里性能是的好呢？——華睿優(yōu)創(chuàng)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)

主板上的內(nèi)存條卡槽通常有4根，但是我們手里的內(nèi)存只有1~2根，這時(shí)候問(wèn)題就來(lái)了，到底內(nèi)存插到什么位置，性能好的呢?

如果你手里只有一根內(nèi)存，那么通過(guò)這個(gè)測(cè)試，結(jié)果已經(jīng)非常明顯了。插槽1，也就是靠近處理器的內(nèi)存插槽，性能是好的，相對(duì)于其他插槽大概有3%左右的提升。但是，如果選擇這個(gè)插槽，那我們不得不面臨另一個(gè)問(wèn)題：發(fā)熱。處理器工作時(shí)產(chǎn)生的熱量比較大，處理器散熱器吹出的熱風(fēng)更是直接吹到內(nèi)存上，插槽1 更加靠近處理器，也意味著內(nèi)存在這里溫度更容易上升。如果將處理器和內(nèi)存的距離稍微拉大一點(diǎn)，情況顯然會(huì)有所改善。因此如果加上這方面的考慮，我們建議你選擇插槽4，盡管在這個(gè)插槽中，內(nèi)存帶寬會(huì)降低一點(diǎn)，但是讀寫(xiě)性能的提高能夠彌補(bǔ)這一點(diǎn)。

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內(nèi)存條卡槽的發(fā)展歷史——華睿優(yōu)創(chuàng)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)

Rambus DRAM內(nèi)存

在選擇SDR SDRAM的繼任者的時(shí)候Intel選擇了與Rambus合作并推出了Rambus DRAM內(nèi)存，通常都會(huì)被簡(jiǎn)稱(chēng)為RDRAM，它與SDRAM不同，采用了新的高速簡(jiǎn)單內(nèi)存架構(gòu)，基于RISC理論，這樣可以減少數(shù)據(jù)復(fù)雜性提高整個(gè)系統(tǒng)的性能。

RDRAM采用RIMM插槽，184pin，總線(xiàn)位寬16bit，插兩條組建雙通道時(shí)就是32bit，工作電壓2.5V，當(dāng)時(shí)的頻率有600、700、800、1066MHz等。

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DDR3與DDR2內(nèi)存的區(qū)別——華睿優(yōu)創(chuàng)專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)

DDR3內(nèi)存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口，不過(guò)兩者的防呆缺口位置是不同的，不能混插，常見(jiàn)的容量是512MB到8GB，當(dāng)然也有單條16GB的DDR3內(nèi)存，只不過(guò)很稀少。頻率方面從800MHz起步，目前比較容量買(mǎi)到高的頻率是2400MHz，實(shí)際上有廠家推出了3100MHz的DDR3內(nèi)存，只是比較難買(mǎi)得到，支持DDR3內(nèi)存的平臺(tái)有Intel的后期的LGA 775主板P35、P45、x38、x48等，LGA 1366平臺(tái)，LGA 115x系列全都支持還有LGA 2011的x79，AMD方面AM3、AM3＋、FM1、FM3接口的產(chǎn)品全都支持DDR3。

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