DDR3與DDR2內(nèi)存的區(qū)別——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
DDR3內(nèi)存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口,不過兩者的防呆缺口位置是不同的,不能混插,常見的容量是512MB到8GB,當(dāng)然也有單條16GB的DDR3內(nèi)存,只不過很稀少。頻率方面從800MHz起步,目前比較容量買到高的頻率是2400MHz,實際上有廠家推出了3100MHz的DDR3內(nèi)存,只是比較難買得到,支持DDR3內(nèi)存的平臺有Intel的后期的LGA 775主板P35、P45、x38、x48等,LGA 1366平臺,LGA 115x系列全都支持還有LGA 2011的x79,AMD方面AM3、AM3+、FM1、FM3接口的產(chǎn)品全都支持DDR3。
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DDR和DDR2內(nèi)存的區(qū)別——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
DDR2內(nèi)存的金手指數(shù)比DDR多,DDR2有240個金手指,DDR只有184個,兩者的防呆缺口位置防止用戶差錯插槽,有一個比較容易從外觀上區(qū)分DDR與DDR2內(nèi)存的方法,就是DDR內(nèi)存是采用TSSOP封裝的,而DDR2內(nèi)存是用BGA封裝的,看內(nèi)存芯片就能分清楚兩者。
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內(nèi)存條卡槽的發(fā)展歷史——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)
SDR SDRAM內(nèi)存
然而隨著CPU的升級EDO內(nèi)存已經(jīng)不能滿足系統(tǒng)的需求了,內(nèi)存技術(shù)也發(fā)生了大革命,插座從原來的SIMM升級為DIMM(Dual In-line Memory Module),兩邊的金手指傳輸不同的數(shù)據(jù),SDR SDRAM內(nèi)存插座的接口是168Pin,單邊針腳數(shù)是84,進(jìn)入到了經(jīng)典的SDR SDRAM(Single Data Rate SDRAM)時代。
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