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    DDR3與DDR2內(nèi)存的區(qū)別——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)

    DDR3內(nèi)存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口,不過兩者的防呆缺口位置是不同的,不能混插,常見的容量是512MB到8GB,當(dāng)然也有單條16GB的DDR3內(nèi)存,只不過很稀少。頻率方面從800MHz起步,目前比較容量買到高的頻率是2400MHz,實際上有廠家推出了3100MHz的DDR3內(nèi)存,只是比較難買得到,支持DDR3內(nèi)存的平臺有Intel的后期的LGA 775主板P35、P45、x38、x48等,LGA 1366平臺,LGA 115x系列全都支持還有LGA 2011的x79,AMD方面AM3、AM3+、FM1、FM3接口的產(chǎn)品全都支持DDR3。

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    內(nèi)存條卡座的參數(shù)變化——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)

    DDR2的標(biāo)準(zhǔn)電壓下降至1.8V,這使得它較上代產(chǎn)品更為節(jié)能,DDR2的頻率從400MHz到1200MHz,當(dāng)時的主流的是DDR2-800,更高頻率其實都是超頻條,容量從256MB起步4GB,不過4GB的DDR2是很少的,在DDR2時代的末期大多是單條2GB的容量。

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    內(nèi)存條卡座的發(fā)展歷史——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)

    Rambus DRAM內(nèi)存

    在選擇SDR SDRAM的繼任者的時候Intel選擇了與Rambus合作并推出了Rambus DRAM內(nèi)存,通常都會被簡稱為RDRAM,它與SDRAM不同,采用了新的高速簡單內(nèi)存架構(gòu),基于RISC理論,這樣可以減少數(shù)據(jù)復(fù)雜性提高整個系統(tǒng)的性能。

    RDRAM采用RIMM插槽,184pin,總線位寬16bit,插兩條組建雙通道時就是32bit,工作電壓2.5V,當(dāng)時的頻率有600、700、800、1066MHz等。

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