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華睿優(yōu)創(chuàng)——影響移動(dòng)硬盤外殼性能的幾個(gè)因素

影響固態(tài)硬盤性能的幾個(gè)因素主要是：主控芯片、NADN閃存介質(zhì)和固件。在上述條件相同的情況下，采用何種接口也可能會(huì)影響SSD的性能。 　　

目前主流的接口是SATA（包括3Gb/s和6Gb/s兩種）接口，亦有PCIe 3.0接口的SSD問世。 　　由于SSD與普通磁盤的設(shè)計(jì)及數(shù)據(jù)讀寫原理的不同，使得其內(nèi)部的構(gòu)造亦有很大的不同。一般而言，固態(tài)硬盤（SSD）的構(gòu)造較為簡(jiǎn)單，并且也可拆開；所以我們通?？吹降挠嘘P(guān)SSD性能評(píng)測(cè)的文章之中大多附有移動(dòng)硬盤外殼的內(nèi)部拆卸圖。

深圳華睿優(yōu)創(chuàng)有限公司是一家集產(chǎn)品研發(fā)，模具加工，沖壓注塑為一體的臺(tái)資企業(yè)，本公司致力于卡座，以及各種精密連接器的開發(fā)生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電腦，通訊，數(shù)碼，安防等領(lǐng)域。

移動(dòng)硬盤外殼的存儲(chǔ)分層

隨著存儲(chǔ)模式從大量的并行HDD硬盤向快速移動(dòng)硬盤外殼演進(jìn)，快速主存儲(chǔ)和緩存二級(jí)存儲(chǔ)之間的分層存儲(chǔ)概念已經(jīng)啟動(dòng)。HDD硬盤可以滿足慢速大容量存儲(chǔ)的需求，但移動(dòng)硬盤外殼容量的快速增長(zhǎng)以及3D NAND和QLC單元等低成本閃存的出現(xiàn)，標(biāo)志著向基于閃存的二級(jí)存儲(chǔ)的轉(zhuǎn)變。

此外，添加的壓縮和重復(fù)數(shù)據(jù)刪除功能，都有助于提高移動(dòng)硬盤外殼的帶寬，并且在大多數(shù)使用情況下，二級(jí)存儲(chǔ)的有效容量可擴(kuò)展5倍至10倍。重復(fù)數(shù)據(jù)刪除和壓縮用于快速主存儲(chǔ)，以節(jié)省二級(jí)網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)的傳輸成本和帶寬，從而大幅節(jié)省二級(jí)存儲(chǔ)的采購(gòu)成本。

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